原文链接：杀人处HongtaoXie,HuanboWang,QinGeng,ZheXing,WeiWang, JiayinChen,LeiJi,LeChang,ZhimingWang,andJianMaoOxygenVacanciesofCr-DopedCeO2 NanorodsThatEfficientlyEnhancethePerformanceofElectrocatalyticN2 FixationtoNH3underAmbientConditions. Inorg.Chem. DOI:10.1021/acs.inorgchem.9b00622.氮空位调控过渡金属氮化物(TMN)上的氮空位，杀人处因其对二氮分子吸附的独特特性和较差的HER活性而被认为是NRR的理想活性位点。
图五、诛心光强度对光电协同初始化过程影响a）在不同光强（0、50、100、150、200和250mWcm-2）下测得的MAPbI3忆阻器的初始化I-V曲线。微观上，根哥材料中离子迁移势垒过高导致初始化电压过大，是加重电流过冲的主要原因。
杀人处c-d）光强与器件初始化电压和过冲电流关系图。b）忆阻器电流过冲效应等效电路图，诛心过冲电流（IOV）可以流经两条平行路径：导电通道（IOV-CF）和薄膜（IOV-Film）。自2008年惠普实验室报道基于TiO2的首个忆阻原型器件以来，根哥研究人员发展了包括金属氧化物、二维材料、有机材料在内的多种忆阻材料。
图六、杀人处光强度对光电协同初始化过程影响a）在不同入射光波长（415、543和825nm）下的MAPbI3忆阻器的初始化I-V曲线。诛心e）测定碘离子迁移势垒Ea的阿列纽斯曲线。
主持了国家自然科学基金杰出青年、根哥应急、根哥优秀青年科学基金以及上海市科技创新计划等项目，作为课题组长参与了科技部国家重大专项、重点研发计划项目等多个项目。
杀人处b-e）光波长对器件过冲电流影响及其关系图。2023年，诛心领航者家居将继续秉承更高、更快、更强的企业准则，携手世界冠军不断锐意进取。
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